Etusivu
Tietokoneet
Elektroniikka
Autot
Webmasters
Download
Linkit
Palaute
Pelit
Sekalaista

eXTReMe Tracker

Transistorin historiaa

  • Transistori keksittiin 23.12.1947 Bellin laboratoriossa Yhdysvalloissa
  • 1952 ensimmäinen toimiva transistori
  • 1956 kolme fyysikkoa (John Bardeen, Walter Brattain ja William Schocley) saivat Nobelin fysiikan palkinnon transistorin keksimisestä

Yleistä...

Hieman yksinkertaestaen voidaan sanoa, että transistori on vain virralla ohjattava vastus. Pienellä ohjausvirralla muutellaan tämän vastuksen resistanssia.

Puolijohdemateriaalien tyypin mukaan on kahdenlaisia transistoreita, NPN- ja PNP-transistoreita. Nykyään NPN-transistorit ovat paljon yleisemmin käytettyjä kuin PNP-transistorit.

Transistorikytkentöjä on tulossa erilliselle sivulle lähitulevaisuudessa, kunhan ehdin tekemään.

Transistorien piirrosmerkit ja yleisyys
NPNNPN-transistori   NPN-transistori (vanha merkintä)yleisempi
PNPPNP-transistori   PNP-transistori (vanha merkintä)harvinaisempi

Transistorin virrat ja jännitteet

Transistorin virrat ja jännitteet jne.

IB= kantavirta
IC= kollektorivirta
IE= emitterivirta
UB= kannan ja maan välinen jännite
UC= kollektorin ja maan välinen jännite
UBE= kannan ja emitterin välinen jännite
UCE= kollektorin ja emitterin välinen jännite
UCB= kollektorin ja kannan välinen jännite
RB= kantavastus
RC= kollektorivastus
RE= emitterivastus
PC= kollektorilla kehittyvä teho

Transistorin toimintatilat

Kun ajatellaan transistori virralla ohjatuksi vastuksesksi, sillä on seuraavat kolme toimintatilaa:

  • Aukitila
    • Kantavirta IB = 0, jolloin myös kollektorivirta IC = 0. Koska IC ei kulje, on C-E välin resistanssi äärettömän suuri eli kollektorin ja emitterin välinen kytkin on auki.
       
  • Kyllästystila
    • Kantavirta IB on niin suuri, että kollektorivirta IC on maksimiarvossaan lähellä oikosulkuvirtaa. Nyt transistori on täysin johtavana eli C-E välin resistanssi on hyvin pieni. Kollektorin ja emitterin välinen kytkin on kiinni.
       
  • Aktiivitila
    • Kantavirta IB on edellisten arvojen välissä. Tällöin transistori toimii säädettävänä vastuksena, koska IB:n vaihtelut muuttavat myös IC:tä hFE:n määräämällä tavalla.
       

Transistorin parametrit

Transistorin parametrien avulla voidaan transistoripiirin ominaisuuksia tutkia matemaattisesti. Parametreistä saadaan samat transistoripiirin suunnittelussa tarvittavat tiedot kuin ominaiskäyristäkin. Parametrit ilmoitetaan h-parametreinä (h = hybrid), joilla yleensäkin kuvataan nelinapojen ominaisuuksia. Kuvassa on transistorin h-parametrit yhteisemitterikytkennässä. Muiden kytkentätapojen parametrit ovat erilaisia.

Transistorin parametrit

Transistoriin liittyviä kaavoja

Rin = Ube / Ib
Rout = Uce / Ic
hFE = IC / IB
IC = IE - IB
IC ≈ IE
hfe = Ic / Ib
PC = IC * UCE
Rin = ottoimpedanssi
Rout = antoimpedanssi
hFE = β = tasavirtavahvistus
Ib = vaihtosähköinen kantavirta
hfe = vaihtovirtavahvistus
hie = tuloimpedanssi
hoe = lähtöadmittanssi
hre = takaisinkytkentäjännitevahvistus
  © 2002-2017 Juha Levänen  -=-  Käyttöehdot